グローバルPower SiC市場調査レポート2024

グローバル パワー SiC 市場とは?

グローバル パワー SiC 市場とは、シリコン カーバイド (SiC) パワー デバイスの世界市場を指します。SiC は、従来のシリコン ベースのデバイスと比較して、特に高出力および高温アプリケーションで優れたパフォーマンスを発揮する半導体材料です。この市場には、自動車、エネルギー、産業部門など、幅広い業界で使用されている MOSFET、ダイオード、その他のパワー デバイスなど、さまざまな SiC ベースのコンポーネントが含まれています。SiC パワー デバイスの需要は、エネルギー効率の向上、システム サイズと重量の削減、全体的なパフォーマンスの向上を実現する能力によって推進されています。業界がより効率的で信頼性の高い電力ソリューションを求め続ける中、技術の進歩とさまざまなアプリケーションでの採用の増加により、世界の電力用 SiC 市場は大幅に成長すると予想されています。

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世界のパワー SiC 市場における SiC MOSFET モジュール、SiC MOSFET ディスクリート、SiC ダイオード (SiC SBD)、その他 (SiC JFET および FET):

SiC MOSFET モジュールは、複数の SiC MOSFET (金属酸化物半導体電界効果トランジスタ) を 1 つのパッケージに組み合わせた集積回路です。これらのモジュールは、高電力レベルを処理するように設計されており、効率的な電力変換と管理を必要とするアプリケーションで使用されます。一方、SiC MOSFET ディスクリートは、独立して使用することも、より大規模なシステムに統合することもできる個別の SiC MOSFET コンポーネントです。高速スイッチング、低オン抵抗、優れた熱性能を備えているため、高周波および高効率のアプリケーションに最適です。SiC ダイオードは、SiC ショットキー バリア ダイオード (SBD) とも呼ばれ、電流を一方向に流しながら反対方向には流さない半導体デバイスです。順方向電圧降下が低く、スイッチング速度が速いことで知られており、電力整流や力率補正アプリケーションに適しています。その他の SiC デバイスには、SiC JFET (接合型電界効果トランジスタ) や FET (電界効果トランジスタ) があり、効率と信頼性が高いため、さまざまなパワー エレクトロニクス アプリケーションで使用されています。世界のパワー SiC 市場は、さまざまな業界でエネルギー効率が高く高性能なパワー デバイスに対する需要の高まりによって牽引されています。技術が進歩し続けるにつれて、SiCベースのコンポーネントの採用が増加し、パワーエレクトロニクスのさらなる革新と改善につながると予想されます。

世界のパワーSiC市場における自動車とEV / HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、PV、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS、データセンターとサーバー、鉄道輸送、その他：

世界のパワーSiC市場は、自動車とEV / HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、PV（太陽光発電）、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS（無停電電源装置）、データセンターとサーバー、鉄道輸送など、さまざまな分野で広く使用されています。自動車分野では、SiCパワーデバイスが電気自動車（EV）とハイブリッド電気自動車（HEV）で使用され、エネルギー効率の向上、重量の軽減、全体的なパフォーマンスの向上を実現しています。SiCコンポーネントはEV充電インフラストラクチャでも重要であり、より高速で効率的な充電ソリューションを可能にします。産業用途では、SiC パワーデバイスはモータードライブや産業オートメーションシステムに使用され、より高い効率と信頼性を実現します。再生可能エネルギー分野では、SiC コンポーネントが PV インバーターや風力発電システムに使用され、エネルギー変換効率を向上させ、損失を削減します。エネルギー貯蔵システムも、従来のシリコンベースのコンポーネントと比較してパフォーマンスが向上し、寿命が長いため、SiC パワーデバイスの恩恵を受けています。データセンターやサーバーでは、SiC パワーデバイスは電力管理を改善し、エネルギー消費を削減し、より効率的で持続可能な運用につながります。鉄道輸送システムでは、SiC コンポーネントを使用して電力変換を強化し、エネルギー損失を削減し、より効率的で信頼性の高い輸送ソリューションに貢献しています。全体として、世界のパワーSiC市場は、高性能でエネルギー効率の高い電力ソリューションを提供することで、さまざまな産業の発展に重要な役割を果たしています。

世界のパワーSiC市場の見通し：

世界のパワーSiC市場は2023年に20億9,100万米ドルと評価され、2030年までに1億5,270万米ドルに達すると予想されており、2024年から2030年の予測期間中に30.0％のCAGRを記録します。上位3社のシェアは70％を超え、上位5社のシェアは80％を超えています。これは、少数の主要企業が業界を独占する、高度に集中した市場を示しています。市場価値の大幅な成長は、従来のシリコンベースのコンポーネントと比較して優れたパフォーマンスと効率によって推進され、さまざまなアプリケーションでSiCパワーデバイスの需要が高まっていることを反映しています。業界がより効率的で信頼性の高い電力ソリューションを求め続ける中、世界の電力 SiC 市場は、主要企業がイノベーションと技術の進歩を先導し、大幅な成長を遂げると予想されています。

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レポート メトリック	詳細
レポート名	パワーSiC市場
2023年の市場規模	20億9,100万米ドル
2030年の市場規模予測	1億5,270万米ドル
CAGR	30.0%
基準年	2023年
予測年	2024年 - 2030
タイプ別セグメント	SiC MOSFET モジュール SiC MOSFET ディスクリート SiC ダイオード (SiC SBD) その他 (SiC JFET および FET)
アプリケーション別セグメント	自動車および EV/HEV EV 充電 産業用モーター/ドライブ PV、エネルギー貯蔵、風力発電 UPS、データセンター、サーバー 鉄道輸送 その他
地域別生産量	北米 ヨーロッパ 中国 日本
地域別消費量	北米 (米国、カナダ) ヨーロッパ (ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシア) アジア太平洋 (中国、日本、韓国、台湾) 東南アジア (インド) ラテンアメリカ (メキシコ、ブラジル)
会社別	STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、onsemi、BYD Semiconductor、Microchip (Microsemi)、三菱電機 (Vincotech)、Semikron Danfoss、富士電機、Navitas (GeneSiC)、東芝、Qorvo (UnitedSiC)、San'an Optoelectronics、Littelfuse (IXYS)、CETC 55、WeEn Semiconductors、BASiC Semiconductor、SemiQ、Diodes Incorporated、SanRex、Alpha & Omega Semiconductor、Bosch、GE Aerospace、KEC Corporation、PANJIT Group、Nexperia、Vishay Intertechnology、Zhuzhou CRRC Times Electric、China Resources Microelectronics Limited、StarPower、Yangzhou Yangjie Electronic Technology、Guangdong AccoPower Semiconductor、Changzhou Galaxy Century Microelectronics、Hangzhou Silan Microelectronics、Cissoid、Grecon Semiconductor (Shanghai)
予測単位	百万米ドル単位
レポートの対象範囲	収益と数量の予測、企業シェア、競合状況、成長要因と傾向