世界の自動車グレード SiC デバイス (ディスクリート) 市場とは?
世界の自動車グレード SiC デバイス (ディスクリート) 市場とは、自動車用途向けに特別に設計されたシリコンカーバイド (SiC) デバイスの市場を指します。これらのデバイスは、高効率、高熱伝導性、高温および高電圧での動作能力で知られており、電気自動車 (EV) やハイブリッド電気自動車 (HEV) での使用に最適です。市場には、MOSFET、ダイオード、JFET、FET などのさまざまな種類のディスクリート SiC デバイスが含まれており、さまざまな自動車システムでパフォーマンスと効率を向上させるために使用されます。よりクリーンで効率的な輸送ソリューションのニーズに牽引されて EV と HEV の需要が高まっていることが、この市場の成長に大きく貢献しています。さらに、SiC技術の進歩と自動車用途におけるSiCデバイスの採用拡大により、市場の成長がさらに促進されると予想されます。
世界の自動車グレード SiC デバイス (ディスクリート) 市場における SiC MOSFET ディスクリート、SiC ダイオード ディスクリート (SiC SBD)、その他 (SiC JFET および FET)：
SiC MOSFET ディスクリート デバイスは、従来のシリコンベースの MOSFET に比べて優れたパフォーマンスを提供するシリコン カーバイド トランジスタの一種です。高効率、高速スイッチング、高温および高電圧での動作能力で知られています。これらの特性により、SiC MOSFET は、電動トラクション インバータ、オンボード チャージャー (OBC)、DC/DC コンバータなどの自動車用途に最適です。SiC ダイオード ディスクリート デバイスは、SiC ショットキー バリア ダイオード (SBD) とも呼ばれ、自動車用途で使用される別のタイプの SiC デバイスです。順方向電圧降下が低く、スイッチング速度が速く、熱伝導率が高いため、EV や HEV の電力変換および整流用途に適しています。自動車市場で使用されている他のタイプの SiC デバイスには、SiC JFET (接合型電界効果トランジスタ) と SiC FET (電界効果トランジスタ) があります。SiC JFET は高効率と高速スイッチング速度で知られており、SiC FET は高い熱伝導性と高温および高電圧での動作能力を備えています。これらのデバイスは、パフォーマンスと効率を向上させ、エネルギー損失を減らし、車両の電気システムの全体的な信頼性を高めるために、さまざまな自動車アプリケーションで使用されています。自動車市場での SiC デバイスの採用は、より効率的で信頼性の高いパワー エレクトロニクス ソリューションの必要性と、EV および HEV の需要の増加によって推進されています。自動車産業が進化を続け、よりクリーンかつ効率的な輸送ソリューションの需要が高まるにつれ、自動車用途におけるSiCデバイスの使用が大幅に増加すると予想されます。
世界の自動車グレードSiCデバイス（ディスクリート）市場におけるEV/HEV用メインインバータ（電動牽引）、OBC、DC/DCコンバータ：
世界の自動車グレードSiCデバイス（ディスクリート）市場のEV/HEV用メインインバータ（電動牽引）、OBC、DC/DCコンバータでの使用は、電気自動車やハイブリッド車の性能と効率を高めるために不可欠です。バッテリーからのDC電力をAC電力に変換して電動モーターを駆動するメインインバータでは、SiC MOSFETとSiCダイオードが重要な役割を果たします。これらのデバイスは、高効率、高速スイッチング速度、高温および高電圧での動作能力を提供し、エネルギー損失の低減とインバータの全体的なパフォーマンスの向上に役立ちます。メインインバータでのSiCデバイスの使用は、インバータのサイズと重量の削減にも貢献し、車両の全体的な効率と範囲の向上に不可欠です。車両のバッテリーを充電するためにグリッドからのAC電力をDC電力に変換するオンボード充電器（OBC）では、SiC MOSFETとSiCダイオードを使用して効率を改善し、充電時間を短縮します。SiCデバイスの高効率と高速スイッチング速度は、充電プロセス中のエネルギー損失の低減に役立ち、その結果、充電時間が短縮され、OBCの全体的な効率が向上します。さらに、高温および高電圧で動作できるSiCデバイスは、よりコンパクトで軽量なOBCの設計を可能にし、これは車両の全体的な効率と範囲の向上に不可欠です。バッテリーからの直流電力を車内のさまざまな電気システムに必要な電圧レベルに変換する役割を果たす DC/DC コンバーターでは、効率を改善し、エネルギー損失を減らすために SiC MOSFET と SiC ダイオードが使用されています。SiC デバイスの高効率と高速スイッチング速度は、電力変換プロセス中のエネルギー損失を減らすのに役立ち、DC/DC コンバーターの全体的な効率が向上します。さらに、SiC デバイスは高温と高電圧で動作できるため、よりコンパクトで軽量な DC/DC コンバーターの設計が可能になり、これは車全体の効率と航続距離を改善するために不可欠です。これらの主要な自動車用途での SiC デバイスの採用は、より効率的で信頼性の高いパワーエレクトロニクスソリューションの必要性と、EV および HEV の需要の増加によって推進されています。自動車産業が進化を続け、よりクリーンかつ効率的な輸送ソリューションの需要が高まるにつれ、自動車用途におけるSiCデバイスの使用が大幅に増加すると予想されています。
世界の車載グレードSiCデバイス（ディスクリート）市場の見通し：
世界の車載グレードSiCデバイス（ディスクリート）市場は、2023年に1億1,300万米ドルと評価され、2030年には6億5,160万米ドルに達すると予想されており、2024年から2030年の予測期間中に年間平均成長率（CAGR）30.0％を記録します。市場は競争が激しく、上位3社が70％以上のシェアを占め、上位5社が80％以上のシェアを占めています。これは、市場集中度が高く、少数の主要企業が市場を支配していることを示しています。市場の急速な成長は、電気自動車 (EV) とハイブリッド電気自動車 (HEV) の需要の増加、SiC 技術の進歩、自動車アプリケーションにおける SiC デバイスの採用の増加によって推進されています。高効率、高速スイッチング、高温および高電圧での動作能力により、SiC デバイスは、電気牽引インバータ、オンボード充電器 (OBC)、DC/DC コンバータなど、さまざまな自動車アプリケーションでの使用に最適です。自動車産業が進化を続け、よりクリーンかつ効率的な輸送ソリューションの需要が高まるにつれて、自動車用途における SiC デバイスの使用が大幅に増加し、世界の自動車グレード SiC デバイス (ディスクリート) 市場の成長が促進されると予想されます。
| レポート指標 | 詳細 |
| レポート名 | 車載グレードSiCデバイス（ディスクリート）市場 |
| 2023年の市場規模 | 1億1,300万米ドル |
| 2030年の市場規模予測 | 6億5,160万米ドル |
| CAGR | 30.0% |
| 基準年 | 2023 |
| 予測年 | 2024 - 2030 |
| タイプ別セグメント |
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| 用途別セグメント |
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| 地域別生産量 |
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| 地域別消費量 |
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| 会社別 | STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、onsemi、BYD Semiconductor、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric (Vincotech)、Semikron Danfoss、Navitas (GeneSiC)、Toshiba、San'an Optoelectronics、CETC 55、BASiC Semiconductor、Bosch、Zhuzhou CRRC Times Electric、Guangdong AccoPower Semiconductor |
| 予測単位 | 価値は百万米ドル |
| レポートの対象範囲 | 収益と数量の予測、企業シェア、競合状況、成長要因と傾向 |
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